MOSFET器件回顾与展望(上)

• 作者: 夏青 肖德元 陈国庆
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 微电子技术 发展历程与挑战
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 805-809,827
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 4559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.11.002

摘要

简述了MOSFET器件工作原理,回顾了器件发展历程,列出亟待解决的器件工艺问题以及面临的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖德元	中芯国际集成电路(上海)有限公司存储器技术发展中心	5	45	4.0	5.0
2	夏青		2	23	2.0	2.0
3	陈国庆	中芯国际集成电路(上海)有限公司存储器技术发展中心	4	39	3.0	4.0