场发射平板显示高低压电平转换电路

• 作者: 夏洋 宋李梅 李桦 杜寰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 电平转换电路 高压CMOS 驱动电路 高低压兼容
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 822-826
• 页数: 5页
• 分类号: TN492|TN873.95
• 字数: 2374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.037

摘要

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析.通过模拟,此电路可以在100 V的驱动工作电压以及10 mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20 MHz. 在50 pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14, 25 ns. 同时分析了高压CMOS器件与0.8 μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
2	李桦	中国科学院微电子研究所	6	36	3.0	6.0
3	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
4	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0