利用二次离子质谱法对氢在SiC-C涂层中热稳定性的研究

• 作者: 任丁 张东 张瑞谦 曾俊辉 杜良 王春芬 黄宁康
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: SiC-C涂层 阻氢 去氩后热处理SIMS 热稳定性
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1322-1326
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2006.06.030

摘要

利用Ar+离子束轰击混合沉积技术(ion beam mixing)在不锈钢基体上制备在不锈钢和碳钢基体上沉积SiC-C涂层,并然后对样品进行加后热处理热去氩处理(400℃/30 min),再用5 keV的氢离子辐照样品.最后对部分氢离子辐照后的样品进行加热处理(300℃/20 min,600℃/20 min,900℃/20 min),以观察氢在Si-C涂层中的热稳定性.通过和二次离子质谱仪(SIMS)H元素深度分布和正离子质谱分析,研究氢元素在SiC-C涂层中和在不同基团中的热稳定性后热处理.结果表明,在300℃高温条件下在SiC-C涂层中的氢含量下降不多;随着温度的升高,600℃时氢含量已有明显下降;900℃时氢已从SiC-C涂层中逃逸.