溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响

• 作者: 刘文婷 刘正堂 孙金池 张兴刚 闫锋
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 溅射功率 Au导电薄膜 CdZnTe半导体 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 569-572
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 2186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.05.017

摘要

采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜.系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响.结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大.I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	孙金池	西北工业大学材料学院	6	30	3.0	5.0
3	张兴刚	西北工业大学材料学院	4	24	3.0	4.0
4	刘文婷	西北工业大学材料学院	11	34	3.0	4.0
5	闫锋	西北工业大学材料学院	12	46	4.0	6.0