n(Zn):n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

• 作者: 吴钢 张学英 李春潮 管督
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnGa2O4 n(Zn)∶n(Ga) 晶体结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 963-966
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.06.024

摘要

以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究.用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线.对检测结果分析认为: 1. ZnGa2O4 属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响.2. ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248 nm,最大发射波长约367 nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270 nm,最大发射波长约441 nm.当n(Zn)∶n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移.3. ZnGa2O4的热稳定性能非常好.上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张学英	中国铝业河南分公司研究所	5	36	4.0	5.0
2	管督	中国铝业河南分公司研究所	3	35	3.0	3.0
3	李春潮	中国铝业河南分公司研究所	3	14	2.0	3.0
4	吴钢	中国铝业河南分公司研究所	6	7	2.0	2.0