具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析

• 作者: 张波 李肇基 陈万军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压互连线 等位环 击穿电压 LDMOS
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1274-1279
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.024

摘要

提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.