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摘要:
就目前CMP建模当中没有考虑到芯片表面的薄膜氧化所需时间对模型建立所产生的影响,以至最后模型的预测结果与试验结果相差甚多的问题进行探讨.在基于理论分析的基础上提出以椭偏仪法测定出芯片表面薄膜生成厚度与浸泡时间精确的对应关系.试验结果表明:在模型建立时,芯片表面薄膜厚度的生成时间对模型的建立有着重要影响,精确测定其时间对应关系将有助于使得所建模型的预测结果与试验结果进一步吻合.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 CMP中薄膜厚度问题研究
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 CMP 薄膜厚度 椭偏仪法
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 应用技术
研究方向 页码范围 78-79
页数 2页 分类号 TG174.451|TG175
字数 1699字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3660.2006.06.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 安伟 江南大学机械工程系 62 302 10.0 15.0
2 王春 江南大学机械工程系 9 66 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMP
薄膜厚度
椭偏仪法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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