电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究

• 作者: A. G. Kazanskii A. V. Karabutov 尹旻 栗军帅 王晓强 贺德衍 陈强
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: ICP-CVD 纳米行Si锥 场电子发射 低温生长
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 251-254
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.03.002

摘要

利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502 cm-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相. 用原子力显微镜观察样品表面形貌发现,在合适的等离子体条件下制备的样品,其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成,Si锥的高度为30～40 nm,底面平均直径约为200 nm. 场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性,开启电压为7～10 V/μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	兰州大学物理系	90	698	12.0	22.0
2	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
3	王晓强	兰州大学物理系	4	12	3.0	3.0
4	栗军帅	兰州大学物理系	4	10	2.0	3.0
5	尹旻	兰州大学物理系	2	4	1.0	2.0