原子力显微镜在GaN研究中的应用

• 作者: 刘彩池 张帷 滕晓云 王其民 赵丽伟
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 原子力显微镜 GaN 表面形貌 V缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: R4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2006.04.008

摘要

本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究.实验结果表明, GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑--V缺陷,密度约为108cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王其民	河北工业大学信息功能材料研究所	12	61	4.0	7.0
2	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
3	赵丽伟	河北工业大学信息功能材料研究所	7	21	2.0	4.0
4	滕晓云	河北工业大学信息功能材料研究所	8	37	3.0	6.0
5	张帷	河北工业大学信息功能材料研究所	4	32	3.0	4.0