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摘要:
分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果.这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺.
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文献信息
篇名 用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 压力传感器 键合 金硅共晶 微电子机械系统
年,卷(期) 2006,(12) 所属期刊栏目 技术专栏(MEMS加工技术)
研究方向 页码范围 896-899
页数 4页 分类号 TN3
字数 2056字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘理天 清华大学微电子学研究所 230 1519 19.0 23.0
2 张兆华 清华大学微电子学研究所 21 150 8.0 11.0
3 谭智敏 清华大学微电子学研究所 18 114 7.0 9.0
4 林惠旺 清华大学微电子学研究所 18 150 8.0 11.0
5 刘兵武 清华大学微电子学研究所 4 34 4.0 4.0
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金硅共晶
微电子机械系统
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半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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