高质量InAs单晶材料的制备及其性质

• 作者: 吕旭如 孙文荣 杨子祥 段满龙 王应利 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化铟 掺杂 抛光
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1391-1395
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.011

摘要

利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
3	段满龙	中国科学院半导体研究所	11	95	5.0	9.0
4	孙文荣	中国科学院半导体研究所	7	36	4.0	6.0
5	杨子祥	中国科学院半导体研究所	7	32	4.0	5.0
6	吕旭如	中国科学院半导体研究所	3	22	3.0	3.0
7	王应利	中国科学院半导体研究所	3	21	3.0	3.0