薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

• 作者: 任慧智 孙建 张德坤 张晓丹 朱锋 耿新华 薛俊明 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.018

摘要

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253cm2.