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用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜
用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜
作者:
冯良桓
姚菲菲
张静全
李卫
武莉莉
蔡亚平
蔡伟
郑家贵
雷智
黎兵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AlSb
退火
多晶薄膜
摘要:
采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.
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衬底温度
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AlSb
退火
多晶薄膜
共蒸发
内容分析
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文献信息
篇名
用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
AlSb
退火
多晶薄膜
年,卷(期)
2006,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1578-1581
页数
4页
分类号
TN304.2+3
字数
2759字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
冯良桓
四川大学材料科学系
78
424
10.0
17.0
2
蔡亚平
四川大学材料科学系
33
302
10.0
16.0
3
郑家贵
四川大学材料科学系
49
317
9.0
15.0
4
张静全
四川大学材料科学系
69
285
8.0
15.0
5
蔡伟
四川大学材料科学系
30
296
10.0
16.0
6
李卫
四川大学材料科学系
56
193
7.0
12.0
7
雷智
四川大学材料科学系
8
39
4.0
6.0
8
武莉莉
四川大学材料科学系
56
217
8.0
13.0
9
姚菲菲
四川大学材料科学系
3
14
2.0
3.0
10
黎兵
1
11
1.0
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传播情况
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引文网络
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共引文献
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同被引文献
(5)
二级引证文献
(11)
1960(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1965(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1983(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1991(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1998(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1999(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2003(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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二级引证文献(0)
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引证文献(0)
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AlSb
退火
多晶薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
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半导体学报(英文版)2006年第9期
半导体学报(英文版)2006年第8期
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