一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型

• 作者: 何进 刘峰 宋岩 牛旭东 边伟 陶亚东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFETs 器件物理 非传统MOSFET 双栅结构 器件模型 载流子方法
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 242-247
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.062

摘要

提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰	北京大学微电子学研究院	75	456	12.0	18.0
2	宋岩	北京大学微电子学研究院	4	13	2.0	3.0