PL Mapping 技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布

• 作者: 刘彩池 杨燕萍 赵彦桥 郝秋艳 韩彦辉
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 快速扫描光荧光技术 SI-GaAs 光谱分析 缺陷分布
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2006.05.008

摘要

采用PL Mapping技术,检测6英寸SI-GaAs晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况.本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点；对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
3	韩彦辉	河北工业大学信息功能材料研究所	7	15	2.0	3.0
4	赵彦桥	河北工业大学信息功能材料研究所	4	3	1.0	1.0
5	杨燕萍	河北工业大学信息功能材料研究所	1	3	1.0	1.0