微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

• 作者: 吕衍秋 庄春泉 李向阳 王妮丽 韩冰 龚海梅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 均匀性 InGaAs 载流子寿命 焦平面阵列 μ-PCD技术
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 551-555
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 4206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.05.012

摘要

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.