快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

• 作者: 冯泉林 刘佐星 刘斌 史训达 周旗钢 王敬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 洁净区 氧沉淀 单晶硅片 内吸杂 RTA
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.014

摘要

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
3	史训达		8	34	3.0	5.0
4	冯泉林		3	12	2.0	3.0
6	王敬		16	83	5.0	8.0
11	刘斌		3	22	2.0	3.0
12	刘佐星		3	11	3.0	3.0