物理热蒸发法制备CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带

• 作者: 严文 于灵敏 祁立军 范新会
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: CdS/SiO2纳米线阵列 CdS纳米带 纳米电化学自组织机制
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 75-78,83
• 页数: 5页
• 分类号: TN383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2006.01.018

摘要

利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2 纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2 纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明: CdS枝晶的生长对CdS/SiO2 纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用;CdS/SiO2纳米线阵列的形成符合"纳米电化学自组织机制";CdS纳米带的生长过程为气-固过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范新会	西安工业学院材料与化工学院	112	677	14.0	18.0
2	于灵敏	西安工业学院材料与化工学院	44	236	9.0	12.0
3	祁立军	西安工业学院材料与化工学院	8	38	5.0	6.0
4	严文	西安工业学院材料与化工学院	129	1083	17.0	23.0