银基锡氧化物增强电接触材料的界面结合因子分析

• 作者: 江珍雅 陈敬超
• 来源期刊: 云南冶金
• 学科: 工学
• 关键词: EET TFD 电接触材料 界面结合因子
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 金属材料与加工
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.32
• 字数: 2823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0308.2006.05.011

摘要

利用固体与分子经验电子理论EET和改进的TFD理论对银基锡氧化物增强电接触材料中存在的和可能存在的晶体结构进行价电子结构及部分晶面的电子密度计算,得到各异相界面结合因子,并且对可能存在的最佳界面结合方式进行预测,从而对常用的两种改善银基锡氧化物增强电接触材料的方法,即:第三相元素的添加和制备工艺的改善提出价电子结构方面的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬超	稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	7	13	3.0	3.0
2	江珍雅	稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	1	4	1.0	1.0