DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性

• 作者: 岳亚富 张海鹏 杨宝 沈世龙 胡晓萍 邱晓军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI LIGBT 减薄漂移区 新结构 可实现性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.006

摘要

简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能Power ICs应用的同心圆环源漏互包SOI LIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	胡晓萍	杭州电子科技大学电子信息学院	11	53	3.0	7.0
3	邱晓军	杭州电子科技大学电子信息学院	5	9	2.0	3.0
4	沈世龙	杭州电子科技大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0
5	杨宝	杭州电子科技大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0
6	岳亚富	杭州电子科技大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0