半导体量子点非本征吸收区的三阶极化率

• 作者: 刘国才 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体量子点 三阶极化率 非本征吸收
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 261-264
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2006.03.011

摘要

通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小,这是量子尺寸效应的反映;量子点中由基态到激子基态的跃迁振子强度,随量子点半径的增大而单调增大;在弱受限量子点情况下,三阶极化率的实部和虚部都是负的,对应于非线性光学自散焦效应,其绝对值随入射光频率的增加而增加,且随量子点半径的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	刘国才	北京师范大学物理学系	2	10	2.0	2.0