微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用

• 作者: 侯国付 俞远高 孙建 李乙钢 王锐 耿新华 薛俊明 赵颖
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高速生长 微晶硅电池 高压耗尽
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 697-701
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1|TM914.4
• 字数: 3366字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.09.018

摘要

高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32 nm/s,晶化率达58.2%.把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李乙钢	南开大学学物理学院	63	620	15.0	20.0
2	薛俊明	南开大学光电子所	26	157	7.0	11.0
3	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
4	孙建	南开大学光电子所	67	311	10.0	14.0
6	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
7	侯国付	南开大学光电子所	23	203	9.0	13.0
8	俞远高		3	35	2.0	3.0
9	王锐		3	36	2.0	3.0