AlGaN/GaN HEMT中慢瞬态的数值解释

• 作者: 张金风 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 慢瞬态 虚栅 表面陷阱 体陷阱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 276-282
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.015

摘要

观察了AlGaN/GaN HEMT器件在短期应力后不同栅偏置下的一组漏极电流瞬态,发现瞬态的时间常数随栅偏压变化很小,据此判断这组瞬态由电子陷阱的释放引起.为了验证这个判断,采用数值仿真手段计算了上述瞬态.分别考虑了在器件中不同空间位置的电子陷阱,分析了应力和瞬态中相应的陷阱行为,对比和解释了仿真曲线与测量结果的异同.基于上述讨论,提出测量的瞬态可能是表面深陷阱和GaN层体陷阱的综合作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张金风	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	42	3.0	6.0