射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜

• 作者: 古宏伟 李弢 谢波玮
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 射频磁控溅射 铁电薄膜 BST
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 407-410
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2006.03.031

摘要

用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt/Ti/SiO2/Si(100)基体上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.通过引入溅射因子α,在相同工艺条件(高温大功率溅射)下,对靶材成分进行调整,使薄膜成分无化学计量比偏离.薄膜成相较未调整前有显著改善,低角区的衍射杂峰消失.{100}方向有择优生长,同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同,研究认为是成分调整后,薄膜成分无偏离所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	古宏伟		33	206	6.0	13.0
2	谢波玮		3	5	1.0	2.0
3	李弢		21	85	5.0	8.0