基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.
推荐文章
高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
AlGaN/GaN
高电子迁移率晶体管
微波功率
功率增益
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
AlGaN/GaN
HEMT
微波功率
单位截止频率
SiC MESFET微波功率器件的研制
碳化硅
MESFET
微波
功率放大器
功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
功率MOS器件
单粒子栅穿
PSPICE电路模拟
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 1mm SiC多指栅微波功率器件
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 419-421
页数 3页 分类号 TN386.3
字数 1711字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.104
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈刚 19 61 5.0 7.0
2 柏松 20 83 6.0 8.0
3 钱伟 2 15 1.0 2.0
4 陈斌 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1994(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2000(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
4H碳化硅
金属半导体场效应管
微波
宽禁带半导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导