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1mm SiC多指栅微波功率器件
1mm SiC多指栅微波功率器件
作者:
柏松
钱伟
陈刚
陈斌
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
4H碳化硅
金属半导体场效应管
微波
宽禁带半导体
摘要:
研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.
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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
功率MOS器件
单粒子栅穿
PSPICE电路模拟
内容分析
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文献信息
篇名
1mm SiC多指栅微波功率器件
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
4H碳化硅
金属半导体场效应管
微波
宽禁带半导体
年,卷(期)
2006,(z1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
419-421
页数
3页
分类号
TN386.3
字数
1711字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.104
五维指标
作者信息
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姓名
单位
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19
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7.0
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3
钱伟
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金属半导体场效应管
微波
宽禁带半导体
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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