用两次键合技术制备均匀单晶硅膜

• 作者: 何芳 秦明 黄庆安
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 哲学
• 关键词: 硅直接键合 减薄 单晶硅薄膜 MEMS器件
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 69-72,75
• 页数: 5页
• 分类号: TN2550|B2560
• 字数: 2838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.019

摘要

硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素.并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15 μm的范围内.