高性能硅基MOS电光相位调制器

• 作者: 刘海军 刘金彬 陈弘达 顾明 黄北举
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 载流子积累 等离子色散效应 电光相位调制器 金属-氧化物-半导体 光电子集成回路
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2089-2093
• 页数: 5页
• 分类号: TN36
• 字数: 1984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.005

摘要

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2.4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps,带宽达到了8GHz.通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	82	341	10.0	13.0
2	刘海军	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	584	16.0	24.0
3	顾明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	12	56	6.0	7.0
4	黄北举	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	4	16	2.0	4.0
5	刘金彬	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	23	3.0	4.0