准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究

• 作者: 史铁林 柳海鹏 熊良才 龙芋宏
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 光电化学 准分子激光 刻蚀 硅
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 应用
• 页码范围: 235-237
• 页数: 3页
• 分类号: TG665
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2006.03.026

摘要

为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性.实验中采用248nm KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀.在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析.结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械科学与工程学院	192	2245	25.0	38.0
2	龙芋宏	华中科技大学机械科学与工程学院	27	93	4.0	8.0
4	熊良才	华中科技大学机械科学与工程学院	28	380	11.0	18.0
5	柳海鹏	华中科技大学机械科学与工程学院	8	53	5.0	7.0