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ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展
ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展
作者:
刘学超
宋力昕
张华伟
施尔畏
陈之战
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO
稀磁半导体
过渡金属
自旋电子器件
摘要:
稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价,提出解决的思路,最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍.
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紫外光透明导电
宽禁带
结构和光电性能
ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展
ZnO
稀磁半导体
磁性机理
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展
来源期刊
无机材料学报
学科
物理学
关键词
ZnO
稀磁半导体
过渡金属
自旋电子器件
年,卷(期)
2006,(3)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
513-520
页数
8页
分类号
O484
字数
5828字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
施尔畏
中国科学院上海硅酸盐研究所
71
1736
25.0
41.0
2
宋力昕
中国科学院上海硅酸盐研究所
51
585
15.0
22.0
3
陈之战
中国科学院上海硅酸盐研究所
23
556
13.0
23.0
4
张华伟
中国科学院上海硅酸盐研究所
11
185
6.0
11.0
8
刘学超
中国科学院上海硅酸盐研究所
13
94
4.0
9.0
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1998(2)
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二级参考文献(1)
1999(4)
参考文献(0)
二级参考文献(4)
2000(4)
参考文献(0)
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2001(6)
参考文献(3)
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2002(4)
参考文献(4)
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2003(1)
参考文献(1)
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2004(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(5)
引证文献(5)
二级引证文献(0)
2008(4)
引证文献(4)
二级引证文献(0)
2009(8)
引证文献(6)
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2010(8)
引证文献(3)
二级引证文献(5)
2011(10)
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引证文献(3)
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2013(7)
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
ZnO
稀磁半导体
过渡金属
自旋电子器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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