用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达

• 作者: 张世林 毛陆虹 郝先人 郭维廉 陈铭义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基光互连 喇曼放大 SOI 脊形波导 自由载流子吸收 pin结构
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1310-1315
• 页数: 6页
• 分类号: TH744.3
• 字数: 4232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.031

摘要

研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	郝先人	天津大学电子信息工程学院	4	47	2.0	4.0
3	陈铭义	天津大学电子信息工程学院	4	11	2.0	3.0
4	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
5	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0