一种高性能带隙基准源的设计与分析

• 作者: 曾宏博 胡锦 陈迪平
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 PTAT(与绝对温度成比例) 电源抑制比 温度系数
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子与基础产品
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2006.02.003

摘要

提出了一种采用0.6 μm 1P1M(单层Poly,单层Metal)CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路(BGR)设计.该电路能够在电压范围[4.0 V,6.0 V]内稳定工作,实现了一阶PTAT(与绝对温度成比例)温度补偿,并具有较好的电源抑制比和较低的温度系数,应用在热释电红外传感器专用控制芯片之中.HSPICE模拟和芯片测试结果表明,其电源抑制比可达到65dB,在0℃～70℃范围内精度可达到23×10-6/℃,当VDD为5 V时功耗仅为158.694 5 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈迪平	湖南大学微电子研究所	56	273	9.0	13.0
2	胡锦	湖南大学微电子研究所	41	209	7.0	12.0
3	曾宏博	湖南大学微电子研究所	4	23	4.0	4.0