硅酸锌的电子结构

• 作者: 冯夏 康俊勇 张华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅酸锌 电子态密度 能带结构
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 750-754
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.023

摘要

采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构.计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.710 48 nm,六角结构为1.408 77 nm,两者与实验值的误差均在1%左右.态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00 eV和2.79～10.50 eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大.能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66, 2.89 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康俊勇		29	84	5.0	8.0
2	张华	厦门大学物理系	6	27	4.0	4.0
3	冯夏	厦门大学半导体光子学研究中心	2	15	2.0	2.0