溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质

• 作者: 张振兴 潘孝军 谢二庆 贾璐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流溅射 a-GaN薄膜 光学带隙 吸收系数
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 1770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.026

摘要

利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张振兴	兰州大学物理科学与技术学院	20	40	4.0	5.0
3	潘孝军	兰州大学物理科学与技术学院	13	38	4.0	5.0
4	贾璐	兰州大学物理科学与技术学院	4	7	2.0	2.0