C59N单分子整流器

• 作者: 侯建国 李斌 杨金龙 王克东
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子物理学 整流效应 扫描隧道显微镜(STM) 单电子隧穿(SET) C59N
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.03.004

摘要

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中,从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构,我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件.实验中这个整流器件的正向导通电压约为0.5-0.7 V,反向击穿电压约为1.6-1.8 V.理论分析表明,中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因.其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌		372	5610	37.0	58.0
2	侯建国		38	77	5.0	8.0
3	杨金龙		53	349	6.0	18.0
4	王克东		3	11	2.0	3.0