感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN

• 作者: 冯倩 杨燕 王冲 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 520-523
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.04.003

摘要

采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	冯倩	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	王冲	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	107	7.0	9.0