升华法生长AlN体单晶初探

• 作者: 李晋闽 段满龙 董志远 赵有文 魏学成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 晶体 升华法
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1241-1245
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.017

摘要

研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	段满龙	中国科学院半导体研究所	11	95	5.0	9.0
5	魏学成	中国科学院半导体研究所	8	83	5.0	8.0