ICVI法制备Si3N4P/Si3N4复合材料致密化行为数值模拟

• 作者: 刘谊 成来飞 胡卓沛 赵春年 魏玺
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4P/Si3N4复合材料 等温化学气相渗透 数值模拟
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 111-115
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 3242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.021

摘要

根据Si3N4颗粒增强体的结构特点及等温化学气相法(ICVI)的工艺特点,对Si3N4颗粒增强Si3N4复合材料的致密化过程进行了数值模拟.用球形孔隙模型表征Si3N4颗粒增强体的结构特征,用传质连续方程表征先驱体在预制体中的浓度分布.为了检验模型的准确性和适用性,进行了相应的实验验证.模拟结果与实验结果具有相似的致密化规律,预测的渗透时间和孔隙率与实验结果均十分接近,表明本文中建立的数学模型可以较好地表征Si3N4P/Si3N4复合材料的ICVI过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	魏玺	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	5	32	4.0	5.0
3	刘谊	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	4	22	3.0	4.0
4	胡卓沛	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	1	3	1.0	1.0
5	赵春年	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	8	33	4.0	5.0