ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响

• 作者: 李晋闽 董志远 赵有文 魏学成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 缺陷 单晶
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1759-1762
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.011

摘要

利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	魏学成	中国科学院半导体研究所	8	83	5.0	8.0