Si衬底GaN基LED的结温特性

• 作者: 刘卫华 刘和初 周毛兴 方文卿 李有群 江风益 熊传兵 莫春兰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si衬底 GaN 发光二极管 结温
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31|TN312.8
• 字数: 1583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.02.015

摘要

结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响.首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性.利用正向压降法测量Si衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现Si衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为Si有更好的导热性.同时也表明:用Si作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力.