小尺寸MOSFET隧穿电流解析

• 作者: 徐静平 李艳萍 胡致富 许胜国 邹晓 陈卫兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧穿电流 MOSFET 量子机理 解析模型
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 5036-5040
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.011

摘要

基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	邹晓	华中科技大学电子科学与技术系	12	62	5.0	7.0
3	陈卫兵	华中科技大学电子科学与技术系	22	129	7.0	10.0
4	李艳萍	华中科技大学电子科学与技术系	36	353	8.0	17.0
5	许胜国	华中科技大学电子科学与技术系	7	16	2.0	3.0
6	胡致富	华中科技大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0