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摘要:
ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,带隙约为3.35eV。近几年来,纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料,以及在其他电子器件领域有着广阔应用前景。本文简要综述了ZnO纳米材料的制备方法、结构特征、及应用前景.
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文献信息
篇名 ZnO纳米材料制备及其应用研究进展
来源期刊 中国材料科技与设备 学科 工学
关键词 ZNO 纳米结构 纳米器件 荧光光谱
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TN304
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研究主题发展历程
节点文献
ZNO
纳米结构
纳米器件
荧光光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国材料科技与设备
双月刊
北京市回龙观文化大社区流星花园2区9-3
出版文献量(篇)
2138
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