射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

• 作者: 刘军 孙玲玲 宋朝瑞 李文钧 程新红 陈展飞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 体接触 图形化SOI LDMOSFET 射频
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.008

摘要

设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋朝瑞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	13	48	5.0	6.0
2	程新红	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	14	34	4.0	5.0