铂扩散快恢复二极管特性的研究

• 作者: 冯亚宁 孙树梅 曾祥斌 肖敏 蒋陆金 袁德成
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 930-934
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.014

摘要

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖敏	华中科技大学电子科学与技术系	52	193	6.0	12.0
2	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
3	袁德成		3	30	3.0	3.0
4	孙树梅	华中科技大学电子科学与技术系	3	30	3.0	3.0
5	蒋陆金		2	12	2.0	2.0
6	冯亚宁		1	4	1.0	1.0