高k栅介质MOSFETs的二维阈值电压模型

• 作者: Lai P T 季峰 徐静平 李艳萍 陈卫兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 MOSFET 阈值电压 边缘场 短沟效应
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1725-1731
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.005

摘要

给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够很好地符合.通过和一个准二维模型的结果相比较,表明该模型更准确.另外,还详细讨论了影响高k栅电介质MOSFET阈值电压的一些因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	陈卫兵	华中科技大学电子科学与技术系	22	129	7.0	10.0
3	李艳萍	华中科技大学电子科学与技术系	36	353	8.0	17.0
4	季峰	华中科技大学电子科学与技术系	9	34	4.0	5.0
5	Lai P T	香港大学电机与电子工程系	1	3	1.0	1.0