新型1200V SPT＋芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合

• 作者: A. Wahi C. Daucher D. Seng
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT功率模块 芯片技术 产品平台 逆变器 设计 理想 模块封装 电压等级 芯片模块 导通损耗
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TM464

摘要

在具有重要意义的1200V电压等级的市场上，SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通（SPT）IGBT，即SKT^＋，作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比，SPT^＋模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SKT^＋的电气性能测试结果，并和以前的SPT芯片进行了比较。