射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

• 作者: 于广辉 孟胜 王新中 王笑龙 隋妍萍 雷本亮 齐鸣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 Ⅲ/Ⅴ比 PL谱 黄带发光
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 971-975
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.06.026

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析.结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关.