硫化温度对两步法制备FeS2薄膜性能的影响

• 作者: 程树英 钟南保
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: 薄膜 二硫化铁 硫化温度
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 245-248
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2006.03.011

摘要

在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜.分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟南保	南京军区福州总医院放疗科	13	39	3.0	5.0
2	程树英	福州大学物理电信学院	96	443	11.0	17.0