TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能

• 作者: 井晓天 卞铁荣 卢正欣 李虹艳 高坤
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基片 直流磁控溅射 TiNiCu薄膜 非晶态 晶化 退火 形状记忆 恢复应力 恢复应变
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TG1
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004

摘要

采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李虹艳	西安理工大学现代分析测试中心	3	28	2.0	3.0
2	井晓天	西安理工大学材料科学与工程学院	95	1111	19.0	27.0
3	卢正欣	西安理工大学材料科学与工程学院	35	219	9.0	12.0
4	卞铁荣	西安理工大学材料科学与工程学院	3	5	2.0	2.0
5	高坤	西安理工大学现代分析测试中心	1	2	1.0	1.0