氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响

• 作者: 余云鹏 林揆训 林璇英 祝祖送 魏俊红 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 微结构 氢稀释 SiCl4
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2523-2528
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4052字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.069

摘要

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由1.5eV减小至约1.2eV,而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	祝祖送	汕头大学物理系	5	18	3.0	4.0
4	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
5	魏俊红	汕头大学物理系	5	42	4.0	5.0