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摘要:
我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体.掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级.应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似.晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征.由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%.
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文献信息
篇名 四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 掺铪铌酸锂晶体 抗光折变 阈值 吸收光谱
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 474-477
页数 4页 分类号 O734
字数 3169字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.009
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研究主题发展历程
节点文献
掺铪铌酸锂晶体
抗光折变
阈值
吸收光谱
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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